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硅基納秒高速光開關(guān)

簡要描述：硅基納秒高速光開關(guān)
無移動組件；
切換速度快；
極其穩(wěn)定的鎖存模式；
低功耗；
好的穩(wěn)定性和可靠性。
二、應(yīng)用
高速保護；
系統(tǒng)監(jiān)控；
?測試測量。

產(chǎn)品型號：梓冠
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時間：2024-12-29
訪問量：2077

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光開關(guān)系列

光開關(guān)矩陣 mems光開關(guān)器件硅基高速納秒光開關(guān)模塊硅基光開關(guān)陣列電光納秒光開關(guān) MEMS光開關(guān)陣列機械式光開關(guān)模塊機械式光開關(guān)1x2,2x2 臺式光開關(guān) MEMS光開關(guān)1XN 1x4 1x8雙向磁光開關(guān) 1x2 2x2 磁光開關(guān)

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詳細介紹

品牌	梓冠	價格區(qū)間	面議
組件類別	光學(xué)元件	應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,電子/電池,電氣,綜合
波長	1525~1565nm	封裝形式	器件

硅基納秒高速光開關(guān)

無移動組件；

切換速度快；

極其穩(wěn)定的鎖存模式；

低功耗；

好的穩(wěn)定性和可靠性。

二、應(yīng)用

高速保護；

系統(tǒng)監(jiān)控；

測試測量。

三、規(guī)格參數(shù)

參數(shù)	單位	范圍
波長范圍	nm	1540~1560
插入損耗	dB	直通損耗：1.8~2；交叉損耗：1.8~2；
偏振相關(guān)損耗	dB	0.3~0.5
開關(guān)時間	ns	200~350
回波損耗	dB	40~50
串擾	dB	-20~-17
供電電壓	v	5
供電電流	mA	環(huán)境溫度≥25℃，100mA；環(huán)境溫度≤25℃，900mA
控制信號（TTL3.3V信號）		高電平2V≤VIH≤5V；低電平0V≤VIL≤0.8V；
光接口		FC/APC
尾纖		以松纖方式引出，帶松套管，長度1m
工作溫度	℃	-25℃~45℃
貯存溫度（℃）	℃	-55℃~85℃

要求：對于任意型號2×2光開關(guān)，輸入和輸出編號相同時候為直通傳輸，不同為交叉?zhèn)鬏敗?/span>

尺寸項目	尺寸值（mm）
L：長（mm）	90±0.3
W：寬（mm）	50±0.3
H：高（mm）	13.5±0.2
安裝孔間距（mm）	84.5±0.15
安裝孔間距（mm）	44.5±0.15
固定孔（4個）

一、納秒光開關(guān)的定義

　　納秒光開關(guān)是指通過激光等高速脈沖信號控制物質(zhì)在極短時間內(nèi)從一個狀態(tài)轉(zhuǎn)化到另一個狀態(tài)的裝置。其優(yōu)點在于具有快速、精準、可靠等特點，常用于激光器、通信和雷達系統(tǒng)等領(lǐng)域。

　　二、納秒光開關(guān)的原理

　　1. 光學(xué)調(diào)制原理：利用非線性效應(yīng)使得入射激光束變成強度與頻率不同的多條輸出波；

　　2. 伏安特性：物質(zhì)存在著一種結(jié)構(gòu)及電子能態(tài)上有效區(qū)分兩種核心狀態(tài)之機制；

　　3. 快速反應(yīng)：由于采用了超短脈沖技術(shù)，導(dǎo)致反應(yīng)快速且穩(wěn)定。

　　三、納秒光開關(guān)的分類

　　根據(jù)實現(xiàn)方式和結(jié)構(gòu)形式可以將其分為以下幾類：

　　1. 塊體型硅基互連網(wǎng)絡(luò)集成芯片（Si-photonic IC）；

　　2. 調(diào)寬型互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）方案，包括晶體管級聯(lián)型以及集成電路（IC）相關(guān)方法；

　　3. 利用微細加工技術(shù)和表面等離子體等物理學(xué)效應(yīng)實現(xiàn)的納米結(jié)構(gòu)光開關(guān)；

　　4. 超快速激光器技術(shù)與相干控制法。

　　四、納秒光開關(guān)的應(yīng)用

　　1. 電信領(lǐng)域：適合于高速網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)傳輸中對信號進行瞬間調(diào)整和處理；

　　2. 光通訊領(lǐng)域：可用于調(diào)節(jié)和分配不同波長光，在多波長復(fù)合系統(tǒng)中具有重要意義；

　　3. 全息成像及其它相關(guān)精密測量技術(shù)方面，如在超快脈沖全息成像等方面具有廣闊前景。

　　五、總結(jié)

　　納秒光開關(guān)作為一種集*工藝和科學(xué)技術(shù)的產(chǎn)品，正在迅速擴展到新型微流控芯片、晶體管級聯(lián)以及全自動化生產(chǎn)等多個領(lǐng)域，并且還有大量未被發(fā)現(xiàn)或廣泛利用的局部區(qū)域需要挖掘。

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